三、破枷之道：锻造技术主权的三重淬炼
（1）制造突围：28nm光刻机与超高良率破锁
中芯国际14nm工艺良率达75%，长江存储232层3D NAND良率突破92%——制造端“去美化”产业链日趋成熟。28nm光刻机突破更意味着，东大已掌握中端芯片自主命脉。此谓“以自主产线铸就防弹衣”。
（2）能效反制：标准战瓦解倾销攻势
东大正推动严苛芯片能效标准，从政策端封杀低效高耗的H20。若美芯片无法达标，纵有解禁之名，亦难逃市场淘汰之实——此乃“以规则为盾反制技术霸权”。
（3） 替代联盟：合纵连横构建“去美生态”
寒武纪思元590性能达A100的80%，华为昇腾910C量产在即。东大头部企业正组建“国产替代联盟”，通过技术共享、标准互认，将碎片化创新拧成产业绳索。当生态护城河既成，阉割芯片终成废铁。
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